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F-282U	文件：241.31 Kbytes Page：3 Pages	ChassisMountSingleSecondary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FB282	文件：89.96 Kbytes Page：2 Pages	SATELLITEIFCHANNELFILTERS	FaradayFaraday Technology 智原科技智原科技股份有限公司	Faraday
FBP-STO282	文件：886.03 Kbytes Page：2 Pages	FBP-STO279	BURLAND Burland Technology Solutions	BURLAND
FW282	文件：296.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
GPES282A	文件：408.04 Kbytes Page：15 Pages	Easy-to-useSOUNDPLUS(256KBOTP)	GENERALPLUSGeneralplus Technology Inc. 台湾凌通	GENERALPLUS
GPES282A-NnnV-C	文件：408.04 Kbytes Page：15 Pages	Easy-to-useSOUNDPLUS(256KBOTP)	GENERALPLUSGeneralplus Technology Inc. 台湾凌通	GENERALPLUS
HMC282	文件：109.41 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICLOWNOISEAMPLIFIER36-40GHz GeneralDescription TheHMC282chipisafourstageGaAsMMICLowNoiseAmplifier(LNA)whichcoversthefrequencyrangeof36to40GHz.ThechipcaneasilybeintegratedintoMulti-ChipModules(MCMs)duetoitssmall(2.30mm2)size.ThechiputilizesaGaAsPHEMTprocessoffering26dBgainf	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC282	文件：153.26 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICLOWNOISEAMPLIFIER,36-40GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMPS-282X	文件：113.41 Kbytes Page：8 Pages	MiniPakSurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HMPS-282X	文件：1.1431 Mbytes Page：9 Pages	MiniPakSurface-MountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM

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详细参数

型号：
BTS282Z
功能描述：
MOSFET N-Channel 49V SPEED TEMPFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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