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BTS282Z	文件：270.86 Kbytes Page：12 Pages	Speed TEMPFET(N-Channel Enhancement mode Logic Level Input Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics) SpeedTEMPFET® •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevelInput •Analogdrivingpossible •Fastswitchingupto1MHz •Potential-freetemperaturesensorwiththyristorcharacteristics •Overtemperatureprotection •Avalancherated •Highcurrentpinning •GreenPr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS282Z	文件：408.53 Kbytes Page：14 Pages	Speed TEMPFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS282Z_09	文件：408.53 Kbytes Page：14 Pages	Speed TEMPFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CL-282S	文件：387.57 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorUpward-LightingType Mono-ColorUpward-LightingType ●Ultra-compactandultra-thinwhiteLED)	CITIZENCITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. 西铁城电子株式会社	CITIZEN
CL-282S-WZ	文件：387.57 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorUpward-LightingType Mono-ColorUpward-LightingType ●Ultra-compactandultra-thinwhiteLED)	CITIZENCITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. 西铁城电子株式会社	CITIZEN
CMD282	文件：307.14 Kbytes Page：10 Pages	DC-40GHz2-bitDigitalAttenuator	MMIC Custom MMIC Design Services, Inc.	MMIC
CMD282	文件：401.27 Kbytes Page：10 Pages	DC-40GHz2-bitDigitalAttenuator KeyFeatures •UltraWidebandPerformance •LowInsertionLoss •WideAttenuationRange •SmallDieSize:850umx1350um	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
CT282	文件：146.47 Kbytes Page：3 Pages	SILICONGENERALPURPOSEDIODEAXIALLEAD SILICONGENERALPURPOSEDIODEAXIALLEAD FEATURES GenerallPurpose,Industrial,MilitaryAndSpaceApplication,HermeticallySealedGlassWithAStudOnEitherSideOfTheGlassPassivatedChipProvidesExcellentStabilityExtremelyLowLeakaveAndVeryHighReliability.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
EA282N	文件：55.05 Kbytes Page：1 Pages	CONNECTORSFORCABLE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
EW282	文件：749.07 Kbytes Page：1 Pages	1/8WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
BTS282Z
功能描述：
MOSFET N-Channel 49V SPEED TEMPFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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