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BTS118D中文资料采用智能 SIPMOS 技术的 N 通道垂直功率 FET。受到嵌入式保护功能的全面保护。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BTS118D

参数属性

BTS118D 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3

功能描述

采用智能 SIPMOS 技术的 N 通道垂直功率 FET。受到嵌入式保护功能的全面保护。
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-16 17:10:00

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BTS118D规格书详情

描述 Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions.

特性 Features

• Logic Level Input
• Input Protection (ESD)
• Thermal shutdown with auto restart
• Green product (RoHS compliant)
• Overload protection
• Short circuit protection
• Overvoltage protection
• Current limitation
• Analog driving possible

优势:

应用 Application

• Body controller (interior light dimming) 
• Small motor driver (powertrain)

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BTS118D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :42.0V

  • IL  

    :2.4A 

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C) 

    :100.0mΩ 

  • IL(LIM) min

    :15.0A 

  • ton max

    :100.0µs

  • toff max

    :100.0µs

  • Operating Temperature min max

    :-40.0°C 150.0°C

  • Mounting 

    :SMT

  • Family 

    :HITFET

  • ID  

    :2.4A 

  • ID(lim) min

    :15.0A 

  • Ptot max

    :21.0W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
SOT252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO252-3
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24+
45000
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2016+
TO-252
6000
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Infineon
24+
TO252-3
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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