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BTP2907SL3-0-T3-G

Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Excellent DC current gain characteristics • Low Saturation Voltage VCE(sat)=-0.5V(max) (IC=-1A, IB=-100mA). • Pb-free lead plating and halogen-free package

文件:264.1 Kbytes 页数:7 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

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