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BTD965N3-R-T1-G	文件：253.33 Kbytes Page：6 Pages	Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTB1386N3 文件：253.33 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
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