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BTC102N-TP	文件：2.0283 Mbytes Page：4 Pages	GDT Protection Component Features Highinsulationresistance »4KV10/700psmaximumsurgeratingin ‘accordancewithITU-TK21 Ultralowcapacitance(	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BU102	文件：128.199 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·VCEO(sus)=150V(min) APPLICATIONS ·DesignedforhorizontaldeflectionoutputstageofCTVreceivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU102	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·VCEO(sus)=150V(min) APPLICATIONS ·DesignedforhorizontaldeflectionoutputstageofCTVreceivers	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU102	文件：108.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU102	文件：114.4 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU-102BK	文件：138.17 Kbytes Page：1 Pages	LargeInsulatedKelvinBatteryClip	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BU102D	文件：116.04 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLampand Switch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU102S	文件：113.46 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、Charger andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BUZ102	文件：183.36 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated •dv/dtrated •Lowon-resistance •175°Coperatingtemperature •alsoinTO-220SMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ102	文件：332.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.023Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多BTC102N-TP供应商更新时间2025-5-15 14:00:00

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