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BTB24-800-G	文件：3.18912 Mbytes Page：6 Pages	24A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA24/BTB24, 24A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.18912 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB24-800-SW	文件：3.19023 Mbytes Page：6 Pages	24A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA24/BTB24, 24A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.19023 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB24-800-SW	文件：3.18912 Mbytes Page：6 Pages	24A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA24/BTB24, 24A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.18912 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB24-800-TW	文件：3.19023 Mbytes Page：6 Pages	24A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA24/BTB24, 24A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.19023 Mbytes 页数：6 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

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更多BTB24-800-G供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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