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BTB10-600E	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600F	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600G	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600SW	文件：2.75168 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.75168 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600SW	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600TW	文件：2.75168 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.75168 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600TW	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600BW	文件：634.6 Kbytes Page：14 Pages	10 A SnubberlessTM, logic level and standard Triacs 文件：634.6 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTB10-600BWRG	文件：634.6 Kbytes Page：14 Pages	10 A SnubberlessTM, logic level and standard Triacs 文件：634.6 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTB10-600CW	文件：300 bytes Page：1 Pages	标准型双向可控硅	WEIDA 韦达	WEIDA

技术参数

Package：
TO-220B
ITSM：
100
VDRM：
600
VRRM：
600
IGT1：
50
IGT2：
50
IGT3：
50
IGT4：
/
Tj：
125

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BTB10-600BW	ST/意法	25+	TO-220	45000	ST/意法全新现货BTB10-600BW即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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