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BTB10-600E	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600F	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600G	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600SW	文件：2.75168 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.75168 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600SW	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600TW	文件：2.75168 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.75168 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600TW	文件：2.72753 Mbytes Page：5 Pages	10A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA10/BTB10, 10A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：2.72753 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB10-600BW	文件：634.6 Kbytes Page：14 Pages	10 A SnubberlessTM, logic level and standard Triacs 文件：634.6 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTB10-600BWRG	文件：634.6 Kbytes Page：14 Pages	10 A SnubberlessTM, logic level and standard Triacs 文件：634.6 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BTB10-600CW	文件：300 bytes Page：1 Pages	标准型双向可控硅	WEIDA 韦达	WEIDA

产品属性

产品编号：
BTB10-600BWRG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - TRIAC
系列：
Snubberless™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
双向可控硅类型：
可控硅 - 无缓冲器
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
100A，105A
配置：
单路
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB

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