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BTB08-600BW3

Silicon Bidirectional Thyristors

ONSEMI

安森美半导体

BTB08-600BW3G

三端双向可控硅

• 中断电压高达800伏\n• 25°C条件下通态电流额定值为8安培RMS\n• 在三个象限中实现一致的栅极触发电流\n• 高dv/dt抗扰度 - 125°C条件下最低为2000 V/s\n• 最大限度地缩小保护所需的缓冲网络\n• 工业标准TO-220AB封装\n• 高换向dI/dt - 125°C条件下最低为4 A/ms\n• 这些为无铅设备;

Littelfuse

力特

BTB08-600BW3G

Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

TRIACS 8 AMPERES RMS 600 thru 800 VOLTS Designed for high performance full‐wave ac control applications where high noise immunity and high commutating di/dt are required. Features •locking Voltage to 800 V •On‐State Current Rating of 8 Amperes RMS at 25°C •Uniform Gate Trigger

文件:90.63 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTB08-600BW3G

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶闸管 - TRIAC 描述:TRIAC 600V 8A TO220AB

Littelfuse

力特

技术参数

  • Repetitive Peak Off-State Voltage (VDRM) (V):

    600

  • Max Gate Trigger Current (IGTMAX) (mA):

    50

  • Non-Repetitive Surge Current (ITSM 60Hz) (A):

    90

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更多BTB08-600BW3供应商 更新时间2025-12-12 16:30:00