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BTB04-600TG	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTB04-600TH	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTB04-600TK	文件：662.76 Kbytes Page：6 Pages	4A TRIACs DESCRIPTION High current density due to double mesa technology; Glass Passivation. 文件：662.76 Kbytes 页数：6 Pages	JIEJIE 捷捷微电	JIEJIE
BTB04-600TW	文件：1.07404 Mbytes Page：5 Pages	4A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA04/BTB04, 4A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High b 文件：1.07404 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB04-600B	文件：410.41 Kbytes Page：5 Pages	Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON) 文件：410.41 Kbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
BTB04-600SL	文件：1.13299 Mbytes Page：5 Pages	SENSITIVE GATE TRIACS 文件：1.13299 Mbytes 页数：5 Pages	KERSEMI	KERSEMI
BTB04-600SL	文件：300 bytes Page：1 Pages	4A Snubberless™三端双向可控硅 The BTB04-600SL 4 quadrants TRIAC is intended for general purpose applications where high surge current capability is required, such as lighting, corded power tools, industrial.\n\n This TRIAC features a gate current capability sensitivity of 10mA.	ST 意法半导体	ST
BTB04-600CAM	文件：300 bytes Page：1 Pages	四象限双向可控硅	WAYON 维安	WAYON
BTB04-600CW	文件：300 bytes Page：1 Pages	双向可控硅	ZG 中鑫半导体	ZG
BTB04-600SL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
TO-252
IT(RMS)(A)：
4
ITSM(A)：
40
VDRM(Min)(V)：
600
VRRM(Min)(V)：
600
IGT1(Max)(mA)：
25
IGT2(Max)(mA)：
25
IGT3(Max)(mA)：
25
IGT4(Max)(mA)：
50
Tj(℃)：
125

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更多BTB04-600供应商更新时间2026-1-30 16:50:00

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