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BTA30-600CW3G

Silicon Bidirectional Thyristors

文件:109.97 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30-600CW3G

Silicon Bidirectional Thyristors

文件:108.91 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30-600CW3G_10

Silicon Bidirectional Thyristors

文件:108.91 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30-800CW3G

Silicon Bidirectional Thyristors

文件:109.97 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30-800CW3G

Silicon Bidirectional Thyristors

文件:108.91 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA308X-800C

isc Thyristors

文件:156.69 Kbytes 页数:1 Pages

ISC

无锡固电

BTA308X-800FO

isc Thyristors

文件:226.22 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BTA30H-600CW3G

Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

文件:131.35 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30H-800CW3G

Triacs Silicon Bidirectional Thyristors

文件:131.35 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BTA30-600CW3G

三端双向可控硅

• 中断电压高达800伏\n• 95°C条件下通态电流额定值为30安培RMS\n• 在三个象限中实现一致的栅极触发电流\n• 高dv/dt抗扰度 - 125°C条件下最低为500 V/µs\n• 最大限度地缩小保护所需的缓冲网络\n• 工业标准TO-220AB封装\n• 高换向dI/dt - 125°C条件下最低为4 A/ms\n• 内部隔离(2500 VRMS)\n• 这些为无铅设备\n• 已在UL注册 - 文件#E69369;

Littelfuse

力特

技术参数

  • 可控硅类型:

    双向可控硅

  • 门极触发电压(Vgt):

    1.3V

  • 保持电流(Ih):

    75mA

  • 断态峰值电压(Vdrm):

    800V

  • 门极触发电流(Igt):

    50mA

  • 通态峰值电压(Vtm):

    1.5V

  • 浪涌电流ITSM:

    300A

  • 门极平均耗散功率(PG(AV)):

    0.5W

  • 通态电流(It):

    30A

  • 工作温度:

    -40℃~+125℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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TO-220
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更多BTA30供应商 更新时间2026-3-11 15:01:00