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BTA20-800SW	文件：3.83033 Mbytes Page：5 Pages	20A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA20/BTB20, 20A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.83033 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTA20-800TW	文件：3.83033 Mbytes Page：5 Pages	20A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA20/BTB20, 20A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.83033 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB20-800B	文件：3.83033 Mbytes Page：5 Pages	20A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA20/BTB20, 20A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.83033 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
BTB20-800BW	文件：3.83033 Mbytes Page：5 Pages	20A Ⅲ&ⅣSERIES TRIACS Features ◇The LGE BTA20/BTB20, 20A Ⅲ &Ⅳquadrants series triacs ,which can be operated in Ⅲ &Ⅳquadrants.As silicon bidirectional device,with NPNPN five-layer structure; singlesided trenching technology,mesa glass passivation process; ◇multi-layer metallized electrode on the back side; ◇High 文件：3.83033 Mbytes 页数：5 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG

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