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BT139-600E

isc Triacs

文件:132.94 Kbytes 页数:1 Pages

ISC

无锡固电

BT139-600E_11

4Q Triac High blocking voltage capability

文件:195.33 Kbytes 页数:14 Pages

恩XP

恩XP

BT139-600G0

丝印:BT139-600G0;Package:TO-220AB;4Q Triac

文件:465.35 Kbytes 页数:13 Pages

WEEN

瑞能半导体

BT139-600G0T

丝印:BT139-600G0T;Package:TO-220AB;4Q Triac

文件:466.58 Kbytes 页数:13 Pages

WEEN

瑞能半导体

BT139-600H

Triacs high noise immunity

文件:45.83 Kbytes 页数:6 Pages

PHI

PHI

PHI

BT139-600H

Triacs high noise immunity

文件:49.71 Kbytes 页数:6 Pages

PHI

PHI

PHI

BT139-600E

四象限双向可控硅

KTP

科泰普

KTP

BT139-600EK

四象限双向可控硅

WAYON

维安

BT139-600ENB

四象限双向可控硅

WAYON

维安

BT139-600-0Q

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶闸管 - TRIAC 描述:BT139-600-0/SIL3P/STANDARD MAR

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • 可控硅类型:

    双向可控硅

  • 门极触发电压(Vgt):

    1V

  • 保持电流(Ih):

    25mA

  • 断态峰值电压(Vdrm):

    600V

  • 门极触发电流(Igt):

    10mA

  • 通态峰值电压(Vtm):

    1.5V

  • 浪涌电流ITSM:

    140A

  • 门极平均耗散功率(PG(AV)):

    0.5W

  • 通态电流(It):

    16A

  • 工作温度:

    -40℃~+125℃

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更多BT139-600供应商 更新时间2026-4-22 15:47:00