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BSZ300N15NS5	文件：1.63082 Mbytes Page：12 Pages	丝印：300N15NS；Package：PG-TSDSON-8FL；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapp 文件：1.63082 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ300N15NS5	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 与排名第二的竞争对手相比，150V OptiMOS ™的 R DS(on) 降低了 40%，品质因数 (FOM) 降低了 45%。这一重大改进开辟了新的可能性，例如从引线封装转向 SMD 封装或用一个 OptiMOS ™部件有效地替换两个旧部件。 • 卓越的开关性能\n• 低 Q g 和 Q gd\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 级;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ340N08NS3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	Infineon
BSZ340N08NS3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TDSON-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌
BSZ340N08NS3GATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	PG-TSDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	Infineon

技术参数

Coss：
180 pF
ID (@25°C) max：
32 A
IDpulsmax：
128 A
Ptotmax：
62.5 W
Qgd：
2.2 nC
QG(typ @10V)：
10.1 nC
RDS (on)(@10V) max：
30 mΩ
RthJAmax：
60 K/W
RthJCmax：
2 K/W
Rth：
2 K/W
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
3.8 V
Mounting：
SMD
Package：
PQFN 3.3 x 3.3
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Pin Count：
8 Pins
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.75

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