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BSZ180P03NS3E G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ180P03NS3EG	文件：304.39 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS P3 Power-Transistor 文件：304.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ180P03NS3EG	文件：33.7 Kbytes Page：1 Pages	Material Content Data Sheet 文件：33.7 Kbytes 页数：1 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ180P03NS3G	文件：638.16 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM P3 Power-Transistor 文件：638.16 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSZ180P03NS3EGATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
18 mΩ
ID @25°C max：
39.6 A
QG typ @10V：
20 nC
VGS(th) min：
-3.1 V
VGS(th) max：
-1.9 V
Technology：
OptiMOS™ P3

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更多BSZ180P03NS3E G供应商更新时间2025-11-4 14:30:00

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