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BSZ150N10LS3 G

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

BSZ150N10LS3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件:493.43 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSZ15DC02KDH

TSDSON-8

BSZ160N10NS3G

TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSZ160N10NS3G

TSDSON8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSZ150N10LS3GATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    15 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    20 mΩ

  • ID @25°C max:

    40 A

  • QG typ @10V:

    26 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多BSZ150N10LS3供应商 更新时间2025-11-25 17:14:00