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BSZ146N10LS5	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平在小型封装中提供低 RDS(on) 英飞凌的逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET非常适合无线充电，适配器和电信应用。在不损失通态损耗的情况下，器件的低栅极电荷（Q g）可降低开关损耗改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（V GS（th）），允许MOSFET在5V的条件下直接从微控制器驱动。 • 低 R DS(on) ，采用小型包装\n• 低栅极电荷\n• 降低输出电荷\n• 逻辑电平兼容\n\n优势:\n• 更高的功率密度设计\n• 更高的开关频率\n• 在可用5V电源的地方减少了部件数量\n• 直接从微控制器驱动（慢速切换）\n• 降低系统成本;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ146N10LS5	文件：1.45978 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V 文件：1.45978 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC146N10LS5	文件：1.20875 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V 文件：1.20875 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ146N10LS5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	Infineon
BSZ146N10LS5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

OPN：
BSZ146N10LS5ATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
14.6 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
20.8 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
15 nC
QG typ @4.5V：
7.6 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
Technology：
OptiMOS™ 5

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