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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BSZ100N03LSG | OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：339.8 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：337.45 Kbytes 页数：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.62203 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS100N03 A4-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicatio 文件：858.46 Kbytes 页数：10 Pages | HUAJING-MICRO 华润微电子 | HUAJING-MICRO |
详细参数
- 型号：
BSZ100N03LSG
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP
- 功能描述：
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
24+ |
TSDSON-8(3.3x3.3) |
5000 |
全新、原装 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INF |
24+ |
5000 |
询价 | ||||
INFINEON |
09PB |
QFN |
1335 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
INF |
23+ |
WDFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TSDSON-8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
Infineon |
17+ |
QFN |
9988 |
原装现货QQ:547425301手机17621633780杨小姐 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2026+ |
QFN |
31970 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
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- BT00837
- BT00843
- BT05-2A66
- BT1.5I-C
- BT1.5I-M
- BT1.5I-M3
- BT1.5I-M39
- BT1.5M-C0
- BT1.5M-M30
- BT-10-10-BL
- BT111-A
- BT-12-10-BL
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