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BSZ096N10LS5数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BSZ096N10LS5

功能描述

用于低VGS的新型逻辑电平MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:02:00

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BSZ096N10LS5规格书详情

描述 Description

英飞凌的逻辑电平OptiMOS™5功率MOSFET非常适合无线充电,适配器和电信应用。在不损失通态损耗的情况下,器件的低栅极电荷(Q g)可降低开关损耗改进的品质因数允许在高开关频率下操作。此外,逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压(V GS(th)),允许MOSFET在5V的条件下直接从微控制器驱动。

特性 Features

• 低 R DS(on) ,采用小型包装
• 低栅极电荷
• 降低输出电荷
• 逻辑电平兼容

优势:
• 更高的功率密度设计
• 更高的开关频率
• 在可用5V电源的地方减少了部件数量
• 直接从微控制器驱动(慢速切换)
• 降低系统成本

应用 Application

• 无线充电
• 适配器
• 通信

技术参数

  • 制造商编号

    :BSZ096N10LS5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSZ096N10LS5ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)

  • VDS max

    :100 V

  • RDS (on) @10V max

    :9.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :13.5 mΩ

  • ID @25°C max

    :40 A

  • QG typ @10V

    :22 nC

  • QG typ @4.5V

    :12 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINE0N
21+
S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
32568
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INFINEON
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DFN8
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