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BSZ086P03NS3E G中文资料20V-250V P-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSZ086P03NS3E G

功能描述

20V-250V P-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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BSZ086P03NS3E G规格书详情

描述 Description

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。

特性 Features

• 增强模式
• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
• 雪崩评级
• 无铅镀层;符合 RoHS

优势:

应用 Application

• 消费品
• 直流-直流
• 电动交通
• 电机控制
• 应用指南
• 板载充电器

技术参数

  • 制造商编号

    :BSZ086P03NS3E G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSZ086P03NS3EGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)

  • VDS max

    :-30 V

  • RDS (on) @10V max

    :8.6 mΩ

  • ID @25°C max

    :-40 A

  • QG typ @10V

    :43.2 nC

  • VGS(th) min

    :-3.1 V

  • VGS(th) max

    :-1.9 V

  • Technology

    :OptiMOS™ P3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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INFINEON/英飞凌
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NA/
8853
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DFN33
32550
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INFINEON
24+
TSDSON8
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON
23+
TSDSON8
20000
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Infineon
23+
PG-TSDSON-8
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英飞凌优势渠道全系列在售
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TSDSON-8
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