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BSZ0902NSI

n-Channel Power MOSFET

文件:1.4621 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

BSZ0902NSI

Material Content Data Sheet

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INFINEON

英飞凌

BSZ0902NSI_15

Material Content Data Sheet

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英飞凌

BSZ0902NSI

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSZ0902NSIATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.8 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    3.7 mΩ

  • QG typ @10V:

    24 nC

  • QG typ @4.5V:

    12.2 nC

  • Special Features:

    Monolithically Integrated Schottky-like Diode

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    1.2 V

  • VGS(th) max:

    2 V

  • Technology:

    OptiMOS™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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TSDSON8
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更多BSZ0902NSI供应商 更新时间2026-1-26 20:25:00