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BSZ058N03MS G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

BSZ058N03MSG

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件:333.51 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSZ058N03LSG

OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:333.86 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSZ0602LS

TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSZ0602LS

TSDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • Package :

    S3O8 (3x3mm style SuperSO8)

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    5.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    6.4mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    40.0A

  • Ptot max:

    45.0W

  • IDpuls max:

    160.0A

  • VGS(th) min max:

    1.0V 2.0V

  • QG :

    14.0nC 

  • RthJC max:

    2.8K/W

  • Rth :

    2.8K/W 

  • Ciss :

    2300.0pF 

  • Coss :

    710.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
24+
S3O8
7500
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S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
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PG-TSDSON-8
105000
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更多BSZ058N03M供应商 更新时间2025-11-19 16:30:00