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BSZ0501NSI	文件：993.37 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V Features •Optimizedforhighperformancebuckconverters •MonolithicintegratedSchottky-likediode •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100%avalanchetested •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 文件：993.37 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ0501NSI	文件：1.6412 Mbytes Page：12 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.6412 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ0501NSIATMA1	文件：993.37 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V Features •Optimizedforhighperformancebuckconverters •MonolithicintegratedSchottky-likediode •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100%avalanchetested •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 文件：993.37 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ0501NSI_15	文件：1.6412 Mbytes Page：12 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.6412 Mbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ0501NSI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 凭借 OptiMOS™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度和高能效来提供基准解决方案。 • 同类中较为出色的导通电阻\n• 基准开关性能 (极低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品质因数)\n• 符合 RoHS 标准且无卤素\n• 优化的 EMI 行为 (集成阻尼网络)\n\n优势:\n• 高效率\n• 具有 S3O8 或功率块封装的极高功率密度\n• 降低整体系统成本\n• 在高开关频率下操作;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSZ0501NSIATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
2 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
2.5 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
24 nC
QG typ @4.5V：
11.4 nC
Special Features：
Monolithically Integrated Schottky-like Diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™ 5

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