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BSZ037N06LS5	文件：1.04165 Mbytes Page：11 Pages	丝印：037N06L；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 文件：1.04165 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ037N06LS5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，进一步提升性能	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ039N06NS	文件：0 bytes Page：0 Pages	PQFN3X3	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON
BSZ039N06NS	文件：0 bytes Page：0 Pages	PG-TDSON	INFINEON/英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON/英飞凌
BSZ039N06NSATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市威尔健半导体有限公司	INFINEON

技术参数

OPN：
BSZ037N06LS5ATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
3.7 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
5.3 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
35 nC
QG typ @4.5V：
18 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1.1 V
VGS(th) max：
2.3 V
Technology：
OptiMOS™ 5

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