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BSZ035N03LS G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ035N03LSG	文件：339.27 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：339.27 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ035N03MSG	文件：330.68 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：330.68 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PXL035N03	文件：2.42027 Mbytes Page：14 Pages	Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET 文件：2.42027 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

OPN：
BSZ035N03LSGATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
3.5 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
5.7 mΩ
ID @25°C max：
40 A
QG typ @10V：
42 nC
QG typ @4.5V：
20 nC
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.2 V
Technology：
OptiMOS™ 3

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