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HPWW0206BK	文件：1.46625 Mbytes Page：12 Pages	WireBasketTraySystemCableManagement Features •T-weldconstructionpreventssnags •5mmroundwireonsmallersizes •6mmroundwireonlargersizes •Highloadrating •Easytocutandfabricatefittingsinthefield •100recycledsteel •Usefactorysupporthardwareorfabricate supportsonthejobsite •2x4meshopen	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
HPWW0206S	文件：1.46625 Mbytes Page：12 Pages	WireBasketTraySystemCableManagement Features •T-weldconstructionpreventssnags •5mmroundwireonsmallersizes •6mmroundwireonlargersizes •Highloadrating •Easytocutandfabricatefittingsinthefield •100recycledsteel •Usefactorysupporthardwareorfabricate supportsonthejobsite •2x4meshopen	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
HPWW0206SBK	文件：1.46625 Mbytes Page：12 Pages	WireBasketTraySystemCableManagement Features •T-weldconstructionpreventssnags •5mmroundwireonsmallersizes •6mmroundwireonlargersizes •Highloadrating •Easytocutandfabricatefittingsinthefield •100recycledsteel •Usefactorysupporthardwareorfabricate supportsonthejobsite •2x4meshopen	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
MSC0206SE	文件：383.32 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S)DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSC0206W	文件：504.71 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S)DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MWT-0206UL-VRM	文件：206.42 Kbytes Page：2 Pages	2.0-6.0GHzVoltageRegulatorModule	IXYS IXYS Corporation	IXYS
OFM-0206	文件：565.71 Kbytes Page：3 Pages	20WUltraminiatureOpenFrameSwitchingPowerSupplies	ASTRODYNEAstrodyne Corporation 天成达天成达(昆山)电子有限公司	ASTRODYNE
QPB0206N	文件：919.78 Kbytes Page：13 Pages	2–6GHzGaNAmplifier ProductFeatures •FrequencyRange:2–6GHz •SaturatedOutputPower:54.3dBm(PIN=36dBm) •LargeSignalGain:18.3dB(PIN=36dBm) •SolidStateMMICReliability •Multi-ElementRedundancy •InstantOn(nowarm-up) •IntegratedBiasCard Performanceistypicalacrossfrequency.Pl	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RJK0206DPA	文件：85.64 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETwithSchottkyBarrierDiodePowerSwitching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RS0206	文件：219.07 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

晶体管资料

型号：
BSTB0206
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
TAG621-100,TAG626/100,T3,5N400,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSTB0206供应商更新时间2025-5-19 17:00:00

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