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BST47B1P4K01-VC

Automotive Grade SiC Power Module

Features · HSDIP20 package with the 4th Generation SiC-MOSFET · VDSS = 750V · Low RDS(on) · High-speed switching possible · Low switching losses · Tvjmax = 175°C · Compact design · With high thermal conductivity isolation · Integrated NTC temperature sensor · 4.2kV AC 1s insulation

文件:1.17874 Mbytes 页数:15 Pages

ROHM

罗姆

BSY3-1200/4IOV2

BYD/比亚迪
DIP

BYD/比亚迪

BSZ019N03LS

Infineon
PG-TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSZ019N03LS

INFINEON/英飞凌
TSDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BSZ019N03LSATMA1

Infineon
TSDSON-8

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更多BST47B1P4K01-VC供应商 更新时间2025-10-10 9:50:00