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BST47B1P4K01-VC

Automotive Grade SiC Power Module

Features ·HSDIP20package withthe4thGenerationSiC-MOSFET ·VDSS=750V ·LowRDS(on) ·High-speedswitchingpossible ·Lowswitchinglosses ·Tvjmax=175°C ·Compactdesign ·Withhighthermalconductivityisolation ·IntegratedNTCtemperaturesensor ·4.2kVAC1sinsulation

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

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更多BST47B1P4K01-VC供应商 更新时间2025-7-21 9:53:00