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BST31B1P4K01-VC	文件：1.17767 Mbytes Page：15 Pages	Automotive Grade SiC Power Module Features ·HSDIP20package withthe4thGenerationSiC-MOSFET ·VDSS=750V ·LowRDS(on) ·High-speedswitchingpossible ·Lowswitchinglosses ·Tvjmax=175°C ·Compactdesign ·Withhighthermalconductivityisolation ·IntegratedNTCtemperaturesensor ·4.2kVAC1sinsulation	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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BST31B1P4K01-VC

文件：1.17767 Mbytes

Page：15 Pages

Automotive Grade SiC Power Module

Features ·HSDIP20package withthe4thGenerationSiC-MOSFET ·VDSS=750V ·LowRDS(on) ·High-speedswitchingpossible ·Lowswitchinglosses ·Tvjmax=175°C ·Compactdesign ·Withhighthermalconductivityisolation ·IntegratedNTCtemperaturesensor ·4.2kVAC1sinsulation

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BST31B1P4K01-VC供应商更新时间2025-7-21 9:30:00

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