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BSS84LT1G中文资料MOS(场效应管)数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BSS84LT1G

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:36:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BSS84LT1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 漏源电压(Vdss)

    :50V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :2V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :10 Ω @ 100mA,5V

  • 类型

    :P 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :225mW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
21+
SOT-23
400
进口原装公司现货
询价
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原装,正品
询价
ON
2023+
SOT-23
50000
原装现货
询价
ON/LRC
23+
4000
正品原装货价格低
询价
LRC
07+/08+
SOT-23
2600
全新原装绝对自己公司现货
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
询价
ON
24+
原厂封装
65250
支持样品,原装现货,提供技术支持!
询价
FAIRCHILD
24+
NA
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
询价
ON/安森美
24+
84000
只做原装进口现货
询价
Onsemi
24+
SOT-23
13737
只做原装 有挂有货 假一赔十
询价