| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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DIODESSOT-363-6 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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DIODES/美台na |
99000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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7年
留言
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Diodes(美台)SC-70-6(SOT-363) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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3年
留言
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DIODESSOT-363 |
6800 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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6年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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7年
留言
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Diodes/美台SOT-363 |
20316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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DIODESTube |
75000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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8年
留言
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DIODES/美台SMD |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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DIODES/美台SOT-363 |
3220 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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DIODES/美台23+ |
6000 |
26+ |
专业配单原装正品假一罚十 |
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5年
留言
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DIODES/美台SOT363 |
3044 |
1829+ |
只做原装,可开13个点税票 |
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15年
留言
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Diodes(美台)原装 |
78368 |
26+ |
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Diodes(美台)_BSS84DW-7-F即刻询购立享优惠#长期有订 |
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11年
留言
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DIODES/美台SOT-363-6 |
13975 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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5年
留言
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DIODES/美台SC70-6 |
823 |
1523+ |
原装热卖现货 |
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7年
留言
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Diodes IncorporatedN/A |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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Diodes IncorporatedN/A |
6895 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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DIODESSOT363 |
6360 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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DIODESN/A |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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7年
留言
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PANJITSOT-363 |
30000 |
2026+ |
原装正品 假一罚十! |
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3年
留言
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DIODES/美台NA |
20000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
BSS84D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSS84D图片
BSS84DW-7-F价格
BSS84DW-7-F价格:¥0.4045品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的BSS84DW-7-F多少钱,想知道BSS84DW-7-F价格是多少?参考价:¥0.4045。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS84DW-7-F批发价格及采购报价,BSS84DW-7-F销售排行榜及行情走势,BSS84DW-7-F报价。
BSS84DW-7-F资讯
BSS84DW-7-F中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS84DW制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW_1制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW_2制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW-7功能描述:MOSFET -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS84DW-7-F功能描述:MOSFET -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS84DWT/R13制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84DWT/R7制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET






























