| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 文件：870.35 Kbytes 页数：16 Pages | PHI PHI | PHI | ||
50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET 文件：876.17 Kbytes 页数：17 Pages | PHI PHI | PHI | ||
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 文件：874.43 Kbytes 页数：16 Pages | PHI PHI | PHI | ||
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 文件：874.43 Kbytes 页数：16 Pages | 恩XP | 恩XP | ||
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 文件：874.43 Kbytes 页数：16 Pages | PHI PHI | PHI | ||
BSS84A | MOSFETs | MCC 美微科 | MCC | |
50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 1 kV\n• AEC-Q101 qualified; | Nexperia 安世 | Nexperia | ||
场效应管 | HXY MOSFET 华轩阳电子 | HXY MOSFET |
技术参数
- Package name：
SOT666
- Product status：
Production
- Channel type：
P
- Nr of transistors：
2
- VDS [max] (V)：
-50
- VGS [max] (V)：
20
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
7500
- RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
8500
- integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
- VESD HBM (V)：
1000
- Tj [max] (°C)：
150
- ID [max] (A)：
-0.17
- QGD [typ] (nC)：
0.09
- Ptot [max] (W)：
0.33
- VGSth [typ] (V)：
-1.6
- Automotive qualified：
N
- Ciss [typ] (pF)：
24
- Coss [typ] (pF)：
4.5
- Release date：
2011-05-20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
24+ |
SOT-666 |
4524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
恩XP |
16+ |
SOT-666 |
8000 |
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询价 | ||
恩XP |
2011+PB |
SOT-666 |
4000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
N/A |
70000 |
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SOT-666 |
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SOT-666 |
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NA |
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23+ |
SOT666 |
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询价 |
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