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BSS81	文件：55.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSS80, BSS82 (PNP) 文件：55.18 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS81	文件：41.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Switching Transistors Features • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. • Low collector-emitter saturation voltage. 文件：41.85 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSS816NW	文件：234.04 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Enhancement mode • Ultra Logic level (1.8V rated) • Avalanche rated • Qualified according to AEC Q101 • 100 lead-free; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：234.04 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS816NW-TP	文件：1.70752 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application i + Load/Power Switching \| + Interfacing Switching \| * Logic Level Shift \| 文件：1.70752 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS81B	文件：55.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSS80, BSS82 (PNP) 文件：55.18 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS81B	文件：41.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Switching Transistors Features • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. • Low collector-emitter saturation voltage. 文件：41.85 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSS81B	文件：157.7 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) ● High DC current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BSS 80, BSS 82 (PNP) 文件：157.7 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSS81C	文件：157.7 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage) ● High DC current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BSS 80, BSS 82 (PNP) 文件：157.7 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSS81C	文件：55.18 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Switching Transistors • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSS80, BSS82 (PNP) 文件：55.18 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSS81C	文件：41.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Switching Transistors Features • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA. • Low collector-emitter saturation voltage. 文件：41.85 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
BSS81(B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSR14,BCX41,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
75
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

OPN：
BSS816NWH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT323-3
VDS max：
20 V
Special Features：
Small Signal
VGS(th) min：
0.3 V
VGS(th) max：
0.75 V
Technology：
OptiMOS™ 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	BSS81	INFINEON	23+	16+	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	BSS81	INFINEON	23+	16+	7000		询价
深圳市联世界科技有限公司	BSS816NWL6327XT	Infineon	24+/25+		2800	原装正品现货库存价优	询价
深圳市益百分电子有限公司	BSS816NWL6327	INF	12+	SOT323-3	1000	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	BSS816NW	INF	23+	SOT-323	60000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	BSS816NW	I	24+	SOT-323	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市达恩科技有限公司	BSS816NWH6327	Infineon	24+	NA	3258	进口原装正品优势供应	询价
深圳市纳立科技有限公司	BSS816NWL6327XT		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳诚思涵科技有限公司	BSS816NWH6327	Infineon	19+	SOT-323	200000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BSS816NW	Infineon	20+	SOT-323	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多BSS81供应商更新时间2026-4-17 15:01:00

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