BSS64分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BSS64 |
| 参数属性 | BSS64 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN high-voltage transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
41.86 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 原厂标识 | PHILIPS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 8:58:00 |
| 人工找货 | BSS64价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSS64规格书详情
DESCRIPTION
NPN transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: BSS63.
FEATURES
• Low current (max. 100 mA)
• High voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
• High-voltage general purpose and switching applications
• Intended for application in thick and thin-film circuits.
产品属性
- 产品编号：
BSS64
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 15mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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