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BSS63LT1G	文件：117.05 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1G	文件：87.45 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS63LT1G_16	文件：87.45 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBTA63LT1G	文件：131.4 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBTA63LT1G	文件：131.4 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBTA63LT1	文件：115 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonTransistors(PNPSilicon) DarlingtonTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBTA63LT1	文件：156.93 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonTransistors(PNPSilicon) DarlingtonTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTA63LT1	文件：156.93 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonTransistors DarlingtonTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBTA63LT1	文件：60.8 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BSS63LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 2.5mA，25mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 25mA，1V
频率 - 跃迁：
95MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BSS63LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多BSS63LT1G供应商更新时间2025-5-28 19:08:00

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