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BSS315P

OptiMOS??P 2 Small-Signal-Transistor

文件:274.04 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSS315P

OptiMOS??P 2 Small-Signal-Transistor

文件:214.15 Kbytes 页数:3 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

BSS315P

丝印:YCs;Package:PG-SOT23;OptiMOS-P 2 Small-Signal-Transistor

文件:127.99 Kbytes 页数:3 Pages

TYSEMI

台湾TY半导体

BSS315P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-30 V,SOT-23

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSS315PH6327XTSA1

  • Qualification:

    Automotive

  • VDS max:

    -30 V

  • RDS (on) @4.5V max:

    270 mΩ

  • Special Features:

    Small Signal

  • VGS(th) min:

    -1 V

  • VGS(th) max:

    -2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
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INFINEON/英飞凌
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SOT23-3
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SOT-23
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更多BSS315P供应商 更新时间2025-10-4 9:38:00