P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-20 V，SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

Small Signal MOSFET

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;

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SIPMOS® Small-Signal Transistor

● VDS 250 V\n● ID 0.07 A\n● RDS(on) 100 Ω\n● N channel\n● Depletion mode\n● High dynamic resistance\n● Available grouped in VGS(th)

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