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BSS215P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-20 V,SOT-23

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSS215PH6327XTSA1

  • Qualification:

    Automotive

  • VDS max:

    -20 V

  • RDS (on) @4.5V max:

    150 mΩ

  • Special Features:

    Small Signal

  • VGS(th) min:

    -1.2 V

  • VGS(th) max:

    -0.6 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P2

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更多BSS21供应商 更新时间2025-12-25 11:54:00