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BSS138W中文资料N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,210mA,3.5Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BSS138W

功能描述

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V,210mA,3.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 13:39:00

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BSS138W规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式场效应晶体管。 这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。BSS138W特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。

特性 Features

•RDS(ON) = 3.5 Ω @ VGS = 10V, ID = 0.22A
•RDS(ON) = 6.0 Ω @ VGS = 4.5V, ID = 0.22A
•高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
•坚固而可靠。
•工业标准SOT-323紧凑型表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :BSS138W

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :50

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :210

  • PD Max (W)

    :0.34

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.65

  • Ciss Typ (pF)

    :38

  • Package Type

    :SC-70-3/SOT-323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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