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BSS138LT1G	文件：1.96854 Mbytes Page：5 Pages	丝印：J2x；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection 文件：1.96854 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS138LT3	文件：79.38 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 200 mA, 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V−1.5 V) Makes 文件：79.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS138LT3G	文件：79.38 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 200 mA, 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V−1.5 V) Makes 文件：79.38 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS138LT3G	文件：265.56 Kbytes Page：9 Pages	丝印：J1M；Package：SOT-23；MOSFET – Power, N-Channel, SOT-23 200 mA, 50 V Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.85 V−1.5 V) Makes it Ideal for Low Voltage Applications • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • HBM Class 0A, MM Class M1A, CDM Class IV (Note 3) • BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Co 文件：265.56 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS138LT3G	文件：117.05 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 200 mA, 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23 Typical applications are DC−DC converters, power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V−1.5 V) Make 文件：117.05 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS138LT7G	文件：265.56 Kbytes Page：9 Pages	丝印：J1M；Package：SOT-23；MOSFET – Power, N-Channel, SOT-23 200 mA, 50 V Features • Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.85 V−1.5 V) Makes it Ideal for Low Voltage Applications • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • HBM Class 0A, MM Class M1A, CDM Class IV (Note 3) • BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Co 文件：265.56 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS138L-AE2-R	文件：160.95 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：160.95 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BSS138L-AL3-R	文件：160.95 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE 文件：160.95 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BSS138LT1	文件：334.64 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts 文件：334.64 Kbytes 页数：5 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
BSS138LT1	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：J1；Package：SOT-23；Power MOSFET 文件：75.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
50
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
0.2
PD Max (W)：
0.225
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
10000
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3500
Ciss Typ (pF)：
40
Package Type：
SOT-23-3

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更多BSS138L供应商更新时间2025-12-18 8:49:00

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