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BSS138KW	文件：570.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant • Typical ESD Protection HBM Class 1C Applications • Portable appliances • Battery management 文件：570.28 Kbytes 页数：6 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
BSS138KW	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	GoalTop 高特	GoalTop
BSS138KWJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
UPG138	文件：64.41 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：64.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG138GV	文件：64.41 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：64.41 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG138GV	文件：108.73 Kbytes Page：12 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The UPG137GV and UPG138GV are L-Band Single Pole Double Throw (SPDT) GaAs MMIC switches developed for digital cellular, PCS, and WLAN applications. These devices feature wide bandwidth, low insertion loss, and high P1dB. The UPG137GV operates on a +3 to +5 V control voltage, while the 文件：108.73 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

BVDS(V)：
50
RDS(ON)_TYP(Ω)：
0.7
RDS(ON)_VGS(V)：
10
RDS(ON)_ID(A)：
0.22
ID(A)：
0.22
VTH_Min(V)：
0.8
VTH_Typ(V)：
1.3
VTH_Max(V)：
1.5
Package：
SOT-323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	BSS138KW	NK/南科功率	2025+	SOT323	986966	国产	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BSS138K低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	BSS138K低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	SOT-23	60000	全新原装现货	询价
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更多BSS138KW供应商更新时间2026-4-12 14:01:00

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