BSS138中文资料N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，50V，220mA数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

特性 Features

•0.22 A, 50 V. RDS(ON) = 3.5 Ω @ VGS = 10 V. RDS(ON) = 6.0 Ω @ VGS = 4.5 V
•高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
•坚固而可靠。
•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.