BSS123W数据手册ONSEMI中文资料规格书
BSS123W规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道 MOSFET 技术制作。 该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 该产品尤其适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。
特性 Features
• 0.17 A, 100 V, RDS(ON) = 6 Ω @ VGS = 10 V
• 高密度单元设计，实现低 RDS(ON)
• 坚固而可靠
• 超小型表面贴装封装
• 低电容
• 快速开关速度
• 无铅/符合 RoHS 标准
应用 Application
• Small Servo Motor Control
• Power MOSFET Gate Drivers
• Logic Level Transistors
• High Speed Line Drivers
• Power Management
• Power Supply and Switching
技术参数
- 制造商编号
：BSS123W
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：0.17
- PD Max (W)
：0.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：10000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6000
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.1
- Ciss Typ (pF)
：71
- Package Type
：SC-70-3/SOT-323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT3233 |
7350 |
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DIODES |
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SOT323 |
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SOT-323 |
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