BSS123W中文资料N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 100V，0.17A，6Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该 N 沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道 MOSFET 技术制作。 该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 该产品尤其适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。

特性 Features

• 0.17 A, 100 V, RDS(ON) = 6 Ω @ VGS = 10 V
• 高密度单元设计，实现低 RDS(ON)
• 坚固而可靠
• 超小型表面贴装封装
• 低电容
• 快速开关速度
• 无铅/符合 RoHS 标准

应用 Application

• Small Servo Motor Control
• Power MOSFET Gate Drivers
• Logic Level Transistors
• High Speed Line Drivers
• Power Management
• Power Supply and Switching