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BSS123BKN3	文件：447.77 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • ESD protected gate • Easily designed drive circuits • High speed switching • Low-voltage drive • Pb-free lead plating and halogen-free package • Easy to use in parallel 文件：447.77 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
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