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BSS123中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BSS123

参数属性

BSS123 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BSS123

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.17 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :6000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :10000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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