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BSS123分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

BSS123

厂商型号	BSS123
参数属性	BSS123 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
丝印标识	B123
封装外壳	SOT-23
文件大小	594.71 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	Yangzhou yangjie electronic co., ltd
企业简称	YANGJIE【扬州扬杰电子】
中文名称	扬州扬杰电子科技股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-24 22:59:00
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BSS123规格书详情

Product Summary

● VDS 100V

● ID 200mA

● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜5.0ohm

● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜5.5ohm

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● Voltage controlled small signal switch

● High density cell design for low RDS(ON)

● Fast Switching Speed

Applications

● Small servo motor control

● Power MOSFET gate drivers

● Switching application

产品属性

产品编号：
BSS123
制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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