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BSP62T1

MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

恩XP

恩XP

BSP62,115

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

BSP62E6327HTSA1

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223-4

Infineon

英飞凌

BSP62H6327XTSA1

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223-4

Infineon

英飞凌

晶体管资料

  • 型号:

    BSP62

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    350MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    100

  • htest:

    350000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    1.5

技术参数

  • Polarity :

    PNP (Single)

  • VCEO max:

    80.0V

  • Ptot max:

    1500.0mW

  • hFE min:

    2000.0 

  • IC  (max):

    500.0mA (1000.0mA)

  • VCE :

    10.0V 

  • VCBO max:

    90.0V

  • VEBO max:

    5.0V

  • ICM max:

    2000.0mA

  • fT :

    200.0MHz 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSP62供应商 更新时间2025-12-24 19:58:00