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BSP612P中文资料20V-250V P-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSP612P

参数属性

BSP612P 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:SMALL SIGNAL+P-CH

功能描述

20V-250V P-Channel Power MOSFET
SMALL SIGNAL+P-CH

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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BSP612P规格书详情

简介

BSP612P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的BSP612P晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BSP612P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SOT-223

  • VDS max

    :-60.0V

  • RDS (on) max

    :120.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :170.0mΩ

  • Polarity 

    :P

  • ID  max

    :-3.0A

  • Ptot max

    :1.8W

  • IDpuls max

    :-12.0A

  • VGS(th) min max

    :-2.0V -1.0V

  • QG 

    :-26.3nC 

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 150.0°C

  • Pin Count 

    :4.0Pins 

  • Mounting 

    :SMD

  • Mode 

    :Enhancement

  • Ciss 

    :814.0pF 

  • Coss 

    :248.0pF 

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