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BSP320	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：79.62 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP320	文件：130.49 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • VGS(th)= 2.1 ... 4.0 V 文件：130.49 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP320	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
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BSP320S	文件：460.75 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：460.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP320S_08	文件：460.75 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：460.75 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP320S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SOT-223 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 60 V 所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP320SH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
120 mΩ
QG typ @10V：
9.7 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
SIPMOS™

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