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BSP317P	文件：620.38 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BSP317P；Package：PG-SOT223；SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249221 文件：620.38 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP317P	文件：77.08 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 文件：77.08 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP317P	文件：411.74 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：411.74 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP317P_V01	文件：620.38 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249221 文件：620.38 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP317P_11	文件：411.74 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：411.74 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP317P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP317PH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
-250 V
RDS (on) @10V max：
4000 mΩ
QG typ @10V：
-11.6 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2 V
Technology：
SIPMOS™

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更多BSP317P供应商更新时间2025-10-11 23:00:00

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