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BSP316P	文件：1.54164 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BSP316P；Package：SOT223；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift 文件：1.54164 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSP316P	文件：82.68 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS® Small-Signal-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 文件：82.68 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316P	文件：126.58 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：126.58 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316P	文件：407.4 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Tran sistor 文件：407.4 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316P_07	文件：126.58 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：126.58 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316P_16	文件：407.4 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Tran sistor 文件：407.4 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316PE6327	文件：440.47 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature 文件：440.47 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP316P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
BSP316PH6327XTSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-SOT223-4
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
1800 mΩ
QG typ @10V：
-5.1 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2 V
Technology：
SIPMOS™

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更多BSP316P供应商更新时间2025-11-30 14:13:00

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